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IRF640FP
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IRF640FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
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IRF640FP 数据手册 (14 页)
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IRF640FP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流18.0 A
封装TO-220-3
漏源极电阻180 mΩ
极性N-Channel
功耗40W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)1560pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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IRF640FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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IRF640FP 数据手册

IRF640FP 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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