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IRF640NSPBF
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IRF640NSPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
PDF文件:IRF640NSPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页10 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IRF640NSPBF 数据手册 (11 页)
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IRF640NSPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率150 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.15 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)18A
上升时间19 ns
输入电容值(Ciss)1160pF @25V(Vds)
下降时间5.5 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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IRF640NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF640NSPBF 数据手册

IRF640NSPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.32 MByte
IRF640NSPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF640NSPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IRF640NSPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRF640NSPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IRF640NSPBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.14 MByte

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