| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 18.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.15 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 零部件系列 | IRF640NS |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 上升时间 | 19 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1160pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150000 mW |
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
NXP（恩智浦）
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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