| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 18.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 0.15 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 零部件系列 | IRF640NS |
| 输入电容 | 1160pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 上升时间 | 19.0 ns |
| 热阻 | 1℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 1160pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
NXP（恩智浦）
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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