| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 130 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 上升时间 | 51 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 130 W |
| 下降时间 | 36 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 130 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2000 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
NXP（恩智浦）
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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