类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
漏源极电阻 | 180 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.1 W |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
上升时间 | 51 ns |
输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 130 W |
下降时间 | 36 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3100 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2000 |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
11 页 / 0.34 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
National Semiconductor(美国国家半导体)
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