Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRF644PBF Datasheet 文档
IRF644PBF
来自 AiPCBA

IRF644PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:VISHAY  IRF644PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 250 V, 280 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRF644PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF644PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF644PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)250 V
额定电流14.0 A
封装TO-220-3
额定功率125 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.28 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压4 V
输入电容1300pF @25V
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
连续漏极电流(Ids)14.0 A
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @25V(Vds)
下降时间49 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125 W
查看数据手册 >

IRF644PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRF644PBF 数据手册

IRF644PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.28 MByte
IRF644PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.16 MByte
IRF644PBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.06 MByte

IRF644 数据手册

IRF644 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF644 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF644 数据手册
Vishay Siliconix
IRF644 数据手册
Harris
N沟道 250V 14A
IRF644 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
IRF644 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF644 数据手册
Intersil（英特矽尔）
IRF644 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
IRF644 数据手册
Samsung（三星）
IRF644 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF644 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet