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IRF6618TR1PBF
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IRF6618TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
PDF文件:IRF6618TR1PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRF6618TR1PBF 数据手册 (9 页)
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IRF6618TR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装Direct-FET
额定功率89 W
极性N-CH
功耗2.8W (Ta), 89W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间71 ns
输入电容值(Ciss)5640pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.8 W
下降时间8.1 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
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IRF6618TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6618TR1PBF 数据手册

IRF6618TR1PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.23 MByte
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