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IRF6645TR1PBF
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IRF6645TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:DE-275
描述:INFINEON  IRF6645TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IRF6645TR1PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRF6645TR1PBF 数据手册 (9 页)
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IRF6645TR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装DE-275
额定功率42 W
针脚数5 Position
漏源极电阻0.028 Ω
极性N-CH
功耗42 W
阈值电压4.9 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)5.7A
输入电容值(Ciss)890pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2.2W (Ta), 42W (Tc)
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IRF6645TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6645TR1PBF 数据手册

IRF6645TR1PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.22 MByte
IRF6645TR1PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.26 MByte
IRF6645TR1PBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 1.89 MByte

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INFINEON  IRF6645TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
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