| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | DirectFET-MN |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 7 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 89 W |
| 阈值电压 | 4.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 86A |
| 上升时间 | 29 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2120pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.35 mm |
| 宽度 | 5.05 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON IRF6648TR1 晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 60 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V
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