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IRF6665
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IRF6665 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:DirectFET-SH
PDF文件:IRF6665 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF6665 数据手册 (11 页)
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IRF6665 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装DirectFET-SH
通道数1 Channel
漏源极电阻62 mΩ
极性N-CH
功耗2.2 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)4.2A
上升时间2.8 ns
输入电容值(Ciss)530pF @25V(Vds)
下降时间4.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)2.2W (Ta), 42W (Tc)
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IRF6665 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度4.85 mm
宽度3.95 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6665 数据手册

IRF6665 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.59 MByte
IRF6665 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF6665 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
44 页 / 3.69 MByte
IRF6665 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
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