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IRF6715MTRPBF
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IRF6715MTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF6715MTRPBF 技术参数、封装参数

IRF6715MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRF6715MTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
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IRF6715 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 25 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.9 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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