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IRF6727MTRPBF
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IRF6727MTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
描述:INFINEON  IRF6727MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新
PDF文件:IRF6727MTRPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRF6727MTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF6727MTRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装Direct-FET
额定功率89 W
通道数1 Channel
针脚数7 Position
漏源极电阻0.00122 Ω
极性N-Channel
功耗89 W
阈值电压1.8 V
输入电容6190 pF
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间31 ns
输入电容值(Ciss)6190pF @15V(Vds)
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
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IRF6727MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.35 mm
宽度5.05 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6727MTRPBF 数据手册

IRF6727MTRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.25 MByte
IRF6727MTRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF6727MTRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
44 页 / 3.69 MByte
IRF6727MTRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRF6727MTRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IRF6727 数据手册

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Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRF6727MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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