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IRF6802SDTRPBF
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IRF6802SDTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IRF6802SDTRPBF 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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IRF6802SDTRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF6802SDTRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装Direct-FET
极性N-CH
功耗1.7 W
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)16A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)1350pF @13V(Vds)
额定功率(Max)1.7 W
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1700 mW
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IRF6802SDTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度4.85 mm
宽度3.95 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6802SDTRPBF 数据手册

IRF6802SDTRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.21 MByte
IRF6802SDTRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF6802SDTRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
44 页 / 3.69 MByte
IRF6802SDTRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRF6802SDTRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IRF6802 数据手册

IRF6802SDTRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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