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IRF6811STR1PBF

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IRF6811STR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	DirectFET-SQ
PDF文件:	IRF6811STR1PBF 数据手册 (10 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRF6811STR1PBF 数据手册 (10 页)

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IRF6811STR1PBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	6 Pin
封装	DirectFET-SQ
通道数	1 Channel
漏源极电阻	5.4 mΩ
极性	N-CH
功耗	32 W
漏源极电压(Vds)	25 V
漏源击穿电压	25 V
连续漏极电流(Ids)	19A
上升时间	19 ns
输入电容值(Ciss)	1590pF @13V(Vds)
下降时间	5.5 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	2.1W (Ta), 32W (Tc)

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IRF6811STR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	4.85 mm
宽度	3.95 mm
高度	0.7 mm
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6811STR1PBF 符合标准

IRF6811STR1PBF 概述

IRF6811STR1PBF 数据手册

IRF6811STR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.24 MByte

IRF6811STR1PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRF6811STR1PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRF6811STR1 数据手册

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IRF6811STR1PBF 数据手册

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