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IRF6894MTR1PBF
来自 AiPCBA

IRF6894MTR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
PDF文件:IRF6894MTR1PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IRF6894MTR1PBF 数据手册 (9 页)
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IRF6894MTR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装Direct-FET
极性N-CH
功耗54 W
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)4160pF @13V(Vds)
下降时间14 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 54W (Tc)
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IRF6894MTR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.35 mm
宽度5.05 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6894MTR1PBF 数据手册

IRF6894MTR1PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.24 MByte
IRF6894MTR1PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRF6894MTR1PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.12 MByte

IRF6894MTR1 数据手册

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