| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 320pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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N 沟道 20 V 2 W 15 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7101PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
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