类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.13 Ω |
极性 | Dual N-Channel |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 290pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 50 V |
漏源击穿电压 | 50 V |
连续漏极电流(Ids) | 3A |
上升时间 | 8 ns |
热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
输入电容值(Ciss) | 290pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.130ohm ,ID = 3.0A ) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
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