类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC |
极性 | N-CH |
功耗 | 2 W |
漏源极电压(Vds) | 50 V |
连续漏极电流(Ids) | 3A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 290pF @25V(Vds) |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.130ohm ,ID = 3.0A ) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
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