| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.11 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 290 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 热阻 | 50℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 290pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 50V ， RDS（ON） = 0.130ohm ，ID = 3.0A ） Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
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