| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 3.50 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 100 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7105 |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 330 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7105PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 25 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
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25V/3.5A,-25V/-2.3A,N/P沟道功率MOSFET
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