Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IRF7105QPBF Datasheet 文档
IRF7105QPBF
来自 AiPCBA

IRF7105QPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:INFINEON  IRF7105QPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 25 V, 83 mohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IRF7105QPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF7105QPBF 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7105QPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC
针脚数8 Position
漏源极电阻0.083 Ω
极性N+P
功耗2 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)3.5A/2.3A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
查看数据手册 >

IRF7105QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRF7105QPBF 数据手册

IRF7105QPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.57 MByte
IRF7105QPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.31 MByte

IRF7105 数据手册

IRF7105 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7105 数据手册
Infineon（英飞凌）
IRF7105 数据手册
Microsemi（美高森美）
评估套件 EVALUATION KIT
IRF7105TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRF7105TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V
IRF7105PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRF7105PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 25 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
IRF7105TRPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
25V/3.5A,-25V/-2.3A,N/P沟道功率MOSFET
IRF7105PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7105TR 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7105QPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7105QTRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7105 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet