| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 36 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3.6 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 36 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 170pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 36 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，300V 至 400V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
2.0A ， 400V ， 3.600 Ohm的N通道功率MOSFET 2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
National Semiconductor（美国国家半导体）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7104TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V
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