类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.015 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.5A |
上升时间 | 490 ns |
输入电容值(Ciss) | 9250pF @25V(Vds) |
下降时间 | 97 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not For New Designs |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V,Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7240TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.015 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7240PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 10.5 A, -40 V, 15 mohm, 10 V, 3 V
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P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
International Rectifier(国际整流器)
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