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IRF730
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IRF730 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
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IRF730 数据手册 (12 页)
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IRF730 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)400 V
额定电流5.50 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻750 mΩ
极性N-Channel
功耗100 W
漏源极电压(Vds)400 V
漏源击穿电压400 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)530pF @25V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)65 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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IRF730 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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IRF730 数据手册

IRF730 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.24 MByte
IRF730 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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