| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 5.20 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7301 |
| 输入电容 | 660pF @15V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 上升时间 | 42.0 ns |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 660pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7301TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
N 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
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