类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.05 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 700 mV |
输入电容 | 660 pF |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.2A |
上升时间 | 42 ns |
输入电容值(Ciss) | 660pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 51 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,12V 至 25V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.050ohm ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7301TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
N 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
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