| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.9A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 7.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
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