| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 额定功率 | 2 W |
| 漏源极电阻 | 0.09 Ω |
| 极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7304Q |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.30 A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 610pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 33 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
第五代技术 Generation V Technology
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7304TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7304PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.3 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -700 mV
International Rectifier（国际整流器）
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