类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-8 |
通道数 | 2 Channel |
漏源极电阻 | 140 mΩ |
极性 | P-CH |
功耗 | 2 W |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.3A |
输入电容值(Ciss) | 610pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
耗散功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
第五代技术 Generation V Technology
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7304TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
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INFINEON IRF7304PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.3 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -700 mV
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