| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.6A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 440pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7306TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7306PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V
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