类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SO-8 |
极性 | N+P |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 4A/3A |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7309TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7309TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
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