| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N+P |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A/3A |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.4 W |
| 耗散功率(Max) | 1.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7309TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
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