| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 1.4 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.05 Ω |
| 极性 | N+P |
| 功耗 | 1.4 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A/3A |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.4 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7309TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
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