类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电流 | 4.00 A |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.05 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 1.4 W |
零部件系列 | IRF7309 |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
热阻 | 62.5 K/W |
输入电容值(Ciss) | 520pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.4 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7309TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7309PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7309TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
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