| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 46 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.5A |
| 上升时间 | 8.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 650pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
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INFINEON IRF7313PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7313PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
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