| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.5A |
| 输入电容值(Ciss) | 650pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
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INFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
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INFINEON IRF7313PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7313PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
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