类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -20.0 V |
额定电流 | -5.30 A |
封装 | SOIC-8 |
漏源极电阻 | 53 mΩ |
极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
功耗 | 2 W |
零部件系列 | IRF7314 |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | -20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -5.30 A |
上升时间 | 40 ns |
输入电容值(Ciss) | 780pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 49 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7314TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7314PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.2 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV
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