| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 98 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2.4 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.2A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 913pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.4 W |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7314TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7314PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.2 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV
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