类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.058 Ω |
极性 | Dual P-Channel |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.9A |
上升时间 | 13 ns |
输入电容值(Ciss) | 710pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 32 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7316TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7316PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.9 A, -30 V, 58 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
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