类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电流 | 6.50 A |
封装 | SOIC-8 |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 2 W |
零部件系列 | IRF7319 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
上升时间 | 13.0 ns |
热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
输入电容值(Ciss) | 650pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 5 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7319PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
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