类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-8 |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.2A |
输入电容值(Ciss) | 3450pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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