| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 4.70 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.05 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7341 |
| 阈值电压 | 1 V |
| 输入电容 | 780pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
| 上升时间 | 3.20 ns |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7341TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7341PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
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