类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC |
极性 | Dual N-Channel |
零部件系列 | IRF7341Q |
漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.10 A |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7341TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7341PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新
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