| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 4.70 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 50 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7343 |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
10 页 / 0.21 MByte
International Rectifier（国际整流器）
10 页 / 0.17 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7343TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier（国际整流器）
MOS全桥,55V/4.7A(-55V/-3.4A)
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
