| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N+P |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.7A/3.4A |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7343TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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MOS全桥,55V/4.7A(-55V/-3.4A)
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