类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.045 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.8A |
上升时间 | 33 ns |
输入电容值(Ciss) | 1100pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 47 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 30V,Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7406PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.2 A, -30 V, 45 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件