类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC |
额定功率 | 2.5 W |
极性 | N-CH |
零部件系列 | IRF7413Q |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
上升时间 | 50 ns |
输入电容值(Ciss) | 1800pF @25V(Vds) |
下降时间 | 46 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
材质 | Silicon |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF7413TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IRF7413PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IRF7413ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.8 V
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