| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SO-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 20 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 2.04 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 49 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1700pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） = 0.02ohm ） Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7416TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
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