类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 10A |
上升时间 | 49 ns |
下降时间 | 60 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.02ohm ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7416TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
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